Diagrama de aplicación del semiconductor neuromórfico de inteligencia artificial para uso aeroespacial. | Ministerio de Ciencia y TIC

Por Koh Hyunjeong

Un equipo de investigación conjunto formado por el Ministerio de Ciencia y TIC, el Instituto de Investigación de Energía Atómica de Corea (KAERI, por sus siglas en inglés), la Universidad Nacional de Chungbuk y el centro de investigación de semiconductores y nanotecnología IMEC, en Bélgica, anunció el 19 de marzo haber verificado por primera vez en el mundo una tecnología de semiconductores de inteligencia artificial (IA) de próxima generación capaz de operar de forma estable en entornos de radiación espacial.

Se espera que este desarrollo siente las bases para la producción nacional de semiconductores de IA destinados al uso espacial y de defensa.

En la exploración espacial, la capacidad de los componentes semiconductores para resistir la intensa radiación cósmica es un factor crítico, ya que la radiación puede causar daños y defectos en los dispositivos, provocando una degradación del rendimiento y fallos de funcionamiento.

El equipo fabricó transistores de imitación sináptica basados en óxido de indio-galio-zinc (IGZO), un material semiconductor de próxima generación, y verificó su resistencia a la radiación. Para ello, utilizaron un acelerador de protones para disparar un haz de protones de alta energía de 33 MeV (megaelectronvoltios), una dosis equivalente a más de 20 años de exposición en la órbita terrestre baja.

Los resultados confirmaron que tanto el funcionamiento de conmutación del transistor como la capacidad de regulación de la intensidad de conexión neuronal del dispositivo neuromórfico se mantuvieron estables. La simulación de reconocimiento de escritura a mano registró una precisión del 92,6 por ciento, y también se demostró la capacidad de operación de 4 bits.

El equipo planea desarrollar esta tecnología como tecnología clave en el campo de los semiconductores de IA para uso aeroespacial.

Los resultados de la investigación fueron publicados el 15 de marzo en la revista académica internacional Materials Science in Semiconductor Processing.

hjkoh@korea.kr