Por Lee Kyoung Mi

Unos científicos coreanos y estadounidenses han logrado avances significativos en el desarrollo de sensores de imagen de última generación, destacándose por su tamaño reducido y su eficiencia energética optimizada.

El Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea (KAIST, por sus siglas en inglés) anunció el 20 de noviembre que un equipo liderado por Kim Sanghyeon, profesor de Ingeniería Eléctrica y Electrónica del KAIST, en colaboración con la Universidad de Inha, situada en Incheon, y la Universidad de Yale, de EE. UU., ha desarrollado un fotodiodo ultrafino de banda ancha. Este avance abre nuevas posibilidades para la fabricación de sensores de imagen de alta resolución.

Este desarrollo representa un paso clave para posicionarse en el mercado internacional, ya que el equipo ha logrado dominar la tecnología base para sensores de imagen infrarroja de onda corta (SWIR) con resolución ultraalta, un sector donde predominan las empresas japonesas.

La nueva tecnología alcanza una eficiencia cuántica superior al 70 por ciento incluso con una capa absorbente más delgada que un micrómetro, reduciendo el grosor en aproximadamente un 70 por ciento. Este diseño no solo simplifica el proceso de pixelado necesario para obtener alta resolución, sino que también contribuye a abaratar los costos de producción.

Además, la tecnología es versátil, ya que opera tanto en el espectro de luz visible como en el de infrarrojos de onda corta. Sus aplicaciones potenciales incluyen sistemas de seguridad, sensores médicos e industriales, vehículos autónomos y observación aérea y satelital.

km137426@korea.kr.